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HYG060P04LQ1D
此器件為 P 溝道、-40V耐壓、5.8mΩ內(nèi)阻、TO-252-2L封裝產(chǎn)品，芯片采用Trench工藝設計。該器件抗沖擊能力強，適合較低開關頻率應用，可滿足負載開關、電池保護板等應用領域。
特性
低內(nèi)阻
符合RoHS標準
100% DVDS測試
100% UIL測試
領先的封裝工藝
優(yōu)勢
通態(tài)損耗小
抗沖擊能力強
高可靠性
穩(wěn)定的工藝能力
應用
負載開關，DC-DC，電池保護板
此器件為 P 溝道、-40V耐壓、5.8mΩ內(nèi)阻、TO-252-2L封裝產(chǎn)品，芯片采用Trench工藝設計。該器件抗沖擊能力強，適合較低開關頻率應用，可滿足負載開關、電池保護板等應用領域。
特性
低內(nèi)阻
符合RoHS標準
100% DVDS測試
100% UIL測試
領先的封裝工藝
優(yōu)勢
通態(tài)損耗小
抗沖擊能力強
高可靠性
穩(wěn)定的工藝能力
應用
負載開關，DC-DC，電池保護板
地址：西安經(jīng)濟技術開發(fā)區(qū)尚稷路282號
郵箱：hy@; xa.sales@
電話：+86 29-86685702