技術(shù)特點(diǎn)

●   開發(fā)SiC、GaN晶圓劃片技術(shù)；
●   軟焊料以及高導(dǎo)熱燒結(jié)納米銀漿的運(yùn)用；
●   DBC多芯片堆疊封裝技術(shù)；
●   高性能銅片、鋁帶焊接以及混合焊接的技術(shù)；
●   SiC超薄芯片的封裝技術(shù)；
●   產(chǎn)品電壓能做到3300V,達(dá)到AECQ101的考核標(biāo)準(zhǔn)；
●   使用高可靠的綠色環(huán)保型塑封料。

應(yīng)用領(lǐng)域

第三代半導(dǎo)體應(yīng)用于手機(jī)充電器、5G基站、電動(dòng)汽車、軍事領(lǐng)域等。