技術介紹

IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)，是由BJT(雙極結型晶體三極管)和MOS（絕緣柵場效應管）組成的復合全控型-電壓驅動式功率半導體器件，其具有自關斷的特征。

技術特點

●   無鉛軟焊料高可靠性粘片技術；
●   超薄芯片的封裝技術；
●   鍍鎳框架粗鋁線高可靠性鍵合技術；
●   高性能銅片、鋁帶鍵合以及混合鍵合技術；
●   使用高可靠的綠色環保型塑封料解決防分層、防溢料技術，
●   使用DBC進行高電壓、大電流多芯片封裝技術；
●   高可靠性功率器件實驗及失效分析技術。

應用領域

IGBT廣泛應用于工業、4C（通信、計算機、消費電子、汽車電子）、航天航空、國防軍工等傳統產業領域。