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產(chǎn)品與方案

提供包括封裝設(shè)計、封裝、測試、可靠性驗證等成套封測方案

SGT MOSFET

HYG090N06LS1C2

HYG090N06LS1C2

此器件為N 溝道、60V耐壓、內(nèi)阻7.7mΩ、PDFN5*6封裝產(chǎn)品,芯片采用SGT工藝設(shè)計,該器件適合高頻應(yīng)用,可滿足如AC-DC同步整流,高頻DC-DC轉(zhuǎn)換等應(yīng)用領(lǐng)域。

特性

低內(nèi)阻      

優(yōu)異的FOM值

低輸入電容

符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)  

100%  DVDS測試

100% UIL測試 

領(lǐng)先的封裝工藝   



優(yōu)勢

通態(tài)損耗小    

開關(guān)頻率高   

優(yōu)異的導(dǎo)熱及散熱性能力 

高可靠性

高功率密度  

穩(wěn)定的工藝能力    

驅(qū)動損耗低

易安裝



應(yīng)用

AC-DC/DC-DC電源板

PD電源同步整流

LED電源板

HYG090N06LS1C2

模型

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