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產品與方案

提供包括封裝設計、封裝、測試、可靠性驗證等成套封測方案

首頁 - 產品與方案 - MOSFET - SGT MOSFET

SGT MOSFET

HYG013N03LS1C2

HYG013N03LS1C2

此器件為N 溝道、30V耐壓、1.3mΩ內阻、PDFN8L(5x6)封裝產品,芯片采用SGT工藝設計,該器件適合高頻應用,可滿足如AC-DC同步整流,電機驅動,高頻DC-DC轉換/無人機電調/等應用領域。

特性

低內阻      

優異的Qg

低FOM

低輸入電容

符合RoHS標準                   

100% DVDS測試

100% UIL測試                    

提升系統效率

領先的封裝工藝 



優勢

通態損耗小    

抗沖擊能力強   

優異的導熱及散熱性能力 

高可靠性

高功率密度  

穩定的工藝能力    

驅動損耗低



應用

鋰電池保護板

電動工具

DC-DC

同步整流

HYG013N03LS1C2

模型

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